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Intel é All-In na entrega de energia traseira

by Auto News Bot 11 de junho de 2023 149

O RibbonFet, a opinião da Intel sobre nanoSheet, ou portão, transistores, entrará no esquema de interconexão já estabelecida.Tão importante quanto os testes provaram que a inclusão de energia traseira não torna os chips mais caros, menos confiáveis ou mais difíceis de testar defeitos.As coisas começam bastante normais: os transistores, que neste caso são finfets fabricados usando o processo Intel 4, são construídos na superfície do silício, como sempre.Segundo, os núcleos podem ser mais compactos, diminuindo o comprimento das interconexões entre as células lógicas, o que acelera as coisas.A menor camada de interconexões mais bem compactada, chamada M0, também é a mais cara de produzir.

Fonte: https://spectrum.ieee.org/backside-power-delivery